@article{Осадчук_Осадчук_Осадчук_2020, title={Математичне моделювання фізичного механізму утворення об’ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу}, volume={38}, url={https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560}, DOI={10.31649/1681-7893-2019-38-2-107-112}, abstractNote={<p>В роботі розглянута математична модель фізичного механізму виникнення об’ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках в первинних газочутливих напівпровідникових сенсорах, що описує залежність активної складової повного опору приповерхневого шару напівпровідникового газочутливого елемента за адсорбції молекул газу. Надлишкові носії заряду за адсорбції змінюють розподіл електростатичного поверхневого потенціалу в шарі просторового заряду. Розв’язання рівняння Пуассона дозволило отримати вирази для активної складової повного опору на поверхні електронного та діркового напівпровідників газочутливих сенсорів за адсорбції молекул газу. Подана експериментальна залежність зміни опору напівпровідникового газочутливого сенсора на основі ZnO від зміни концентрації метану.</p>}, number={2}, journal={Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї}, author={Осадчук, Александр Владимирович and Осадчук, Володимир Степанович and Осадчук, Ярослав Александрович}, year={2020}, month={Бер}, pages={107–112} }