[1]
Осадчук, А., Осадчук, В. і Осадчук, Я. 2020. Математичне моделювання фізичного механізму утворення об’ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу. Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї. 38, 2 (Бер 2020), 107-112. DOI:https://doi.org/10.31649/1681-7893-2019-38-2-107-112.