(1)
Осадчук, А. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. А. Математичне моделювання фізичного механізму утворення об’ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу. Опт-ел. інф-енерг. техн. 2020, 38, 107-112.