(1)
Осадчук, А.; Осадчук, В.; Осадчук, Я. Математичне моделювання фізичного механізму утворення об’ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу. ОЕІЕТ 2020, 38, 107-112.