Осадчук, А. В., Осадчук, В. С., & Осадчук, Я. А. (2020). Математичне моделювання фізичного механізму утворення об’ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу. Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї, 38(2), 107–112. https://doi.org/10.31649/1681-7893-2019-38-2-107-112