ОСАДЧУК, А. В.; ОСАДЧУК, В. С.; ОСАДЧУК, Я. А. Математичне моделювання фізичного механізму утворення об’ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу. Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї, [S. l.], v. 38, n. 2, p. 107–112, 2020. DOI: 10.31649/1681-7893-2019-38-2-107-112. Disponível em: https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560. Acesso em: 21 лис. 2024.