[1]
А. В. Осадчук, В. С. Осадчук, і Я. А. Осадчук, «Математичне моделювання фізичного механізму утворення об’ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу», Опт-ел. інф-енерг. техн., вип. 38, вип. 2, с. 107–112, Бер 2020.