[1]
А. Осадчук, В. Осадчук, і Я. Осадчук, Математичне моделювання фізичного механізму утворення об’ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу, ОЕІЕТ, vol 38, № 2, с. 107-112, Бер 2020.