Осадчук АВ, Осадчук ВС, Осадчук ЯА. Математичне моделювання фізичного механізму утворення об’ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу. Опт-ел. інф-енерг. техн. [інтернет]. 12, Березень 2020 [цит. за 25, Квітень 2024];38(2):107-12. доступний у: https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560