1.
Осадчук А, Осадчук В, Осадчук Я. Математичне моделювання фізичного механізму утворення об’ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу. ОЕІЕТ [інтернет]. 12Бер2020 [cited 24Жов2020];38(2):107-12. Available from: https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560