Математичне моделювання фізичного механізму утворення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу

  • Александр Владимирович Осадчук Вінницький національний технічний університет
  • Владимир Степанович Осадчук Вінницький національний технічний університет
  • Ярослав Александрович Осадчук Вінницький національний технічний університет
Ключові слова: напівпровідникові сенсори газу, газореактівний ефект, реактивні властивості напівпровідників, повний опір, приповерхневий шар

Анотація

В роботі розглянута математична модель фізичного механізму виникнення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках в первинних газочутливих напівпровідникових сенсорах, що описує залежність активної складової повного опору приповерхневого шару напівпровідникового газочутливого елемента за адсорбції молекул газу. Надлишкові носії заряду за адсорбції змінюють розподіл електростатичного поверхневого потенціалу в шарі просторового заряду. Розв’язання рівняння Пуассона дозволило отримати вирази для активної складової повного опору на поверхні електронного та діркового напівпровідників газочутливих сенсорів за адсорбції молекул газу. Подана експериментальна залежність зміни опору напівпровідникового газочутливого сенсора на основі ZnO від зміни концентрації метану.

Біографії авторів

Александр Владимирович Осадчук, Вінницький національний технічний університет

д.т.н., професор

Владимир Степанович Осадчук, Вінницький національний технічний університет

д.т.н., професор

Ярослав Александрович Осадчук, Вінницький національний технічний університет

к.т.н., доцент

Посилання

Microelectronic sensors of physical quantities / ed. Z. Yu. Gotry.-Lviv: League-Press, 2002. - 475 p.

Sensors: Reference / Under total. ed. V.M. Sharapova, ES Polishchuk. –Moscow: Technosphere, 2012. -624s.

Jackson R.G. The latest sensors / Jackson R.G. –Moscow: Technosphere, 2007. - 384 p.

Schaumburg H. Sensoren / Schaumburg H. - Stuttgart: B.G.Teubner. 1992. - 517 p.

Osadchuk VS, Osadchuk OV, Prokopova MO Mathematical model of microelectronic frequency gasconverter // Bulletin of the Vinnitsa Polytechnic Institute. - 2003, –№4. - with. 94-98.

Osadchuk OV, Osadchuk VS, Osadchuk YA Mathematical model of gas-reactive effect insemiconductor gas sensors // Bulletin of the Khmelnitsky National University. Series: Technical Sciences. Khmelnitsky, 2019, No. 2 (271). –C. 160-166. DOI 10.31891 / 2307-5732-2019-271-2-160-166

Osadchuk OV Radiomeasuring converter of gas concentration on transistor structure with negativeresistance / Osadchuk OV, Osadchuk VS, Osadchuk YA // Materials of ISTC "Information Technologies and Computer Modeling". Ivano-Frankivsk, May 15-20, 2017 - P.12-15.

Osadchuk A. Microelectronic Transducer of Gas Concentration Based on MOSFET with an ActiveInductive Element / Osadchuk A., Osadchuk V., Seletska O., Krylik L. // PRZEGLAD ELEKTROTECHNICZNY, ISSN 0033-2097, R. 95 NR 4 / 2019 –P.237-241

Osadchuk V.S. Frequency converter of gas based on two bipolar transistors with active inductive element/ Osadchuk VS, Osadchuk OV, Prokopova MO // Bulletin of Vinnitsa Polytechnic Institute. - 2005, - №2. - P.86-90.

Heiland G. Zum Einflus von adsorbiertenm Sanerstoff auf dieelektriesche Leitfahidkeit vonZinkoxidkristallen / Heiland G. - Berlin: Z.phys., 1954. - 459 p.

Bonch-Bruevich VL Semiconductor Physics / VL Bonch-Bruevich, SG Kalashnikov - Moscow: Nauka,1990. - 688 p.

Shalimova KV Semiconductor Physics / Shalimova KV –M .: Energy, 1985. - 392 p.

Rzhanov AV Electronic processes on the surface of semiconductors / AV Rzhanov - M .: Science, 1971- 480 p.

Опубліковано
2020-03-12
Як цитувати
[1]
А. Осадчук, В. Осадчук, і Я. Осадчук, Математичне моделювання фізичного механізму утворення об’ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу, ОЕІЕТ, vol 38, № 2, с. 107-112, Бер 2020.
Розділ
Оптичні та оптико-електронні сенсори і перетворювачі в системах керування та екологічного моніторингу