НАНОКАРБІДНІ ПРОЦЕСИ ПРИ МОС-ЕПІТАКСІЇ ІІІ-НІТРИДНИХ СТРУКТУР
Ключові слова:
нанокарбіди, епітаксії, III-нітриди, фулерени, графени, вуглецеві нанотрубкиАнотація
Обговорюється можливість цілеспрямованого формування оптоелектронних приладів з використанням різноманіття вуглецевих наноструктур. Вперше отримана аномальна анізотропна електропровідність з напівпровідниковим характером температурної залежності поверхні накарбідізірованного з-сапфіра. Встановлено активуючий вплив температурної обробки поверхні з-сапфіра в потоці аміаку (Т = 1050оС, t = 20 хв при тиску в реакторі порядку 20 - 50 мбар) для подальшого утворення в нанотекстурірованном сапфірі нанокарбідних структур в потоці тремтіли алюмінію (Т = 1000оС, газ- носій азот, t = 1 хв).
Посилання
Iijima S. Helical microtubules of graphitic carbon. Nature 1991;р354:56–8.
И.В. Масол, В.И. Осинский, О.Т. Сергеев. Информационные нанотехнологии: К. – Макрос. – 2011. – 560 стр.
C.N. He, N.Q. Zhao , C.S. Shi, S.Z. Song Fabrication of aluminum carbide nanowires by a nano- template reaction Journal of Molecular Structure: THEOCHEM Volumes 720–721, 28 April 2005, Pages 15–516.
Hai-Feng Zhang,†,‡ Alice C. Dohnalkova,‡ Chong-Min Wang,‡ James S. Young,‡ Lithium-Assisted Self-Assembly of NANO LETTERS 2002 Lithium-Assisted Self-Assembly of Vol. 2, No. 2 105-108
Yuanbo zhang, Tsung-Ta Tang “Direct observation of a widely tunable bandgap in bilayer graphene” Nature 459, 820-823 (11 June 2009)
Morley G.W., Tol J., Ardavan A., Porfyrakis K., Zhang J., Briggs G.A.D. Efficient dynamic nuclear polarization at high magnetic fields // Phys. Rev. Lett. –2007. –Vol.98. –№220501.
Osinsky V.I., Dyachenko O. Crystall lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, Vol. 13, N2, 2010, p. 142
Brey L. and Fertig H. A. Electronic states of graphene nanoribbons studied with the Dirac equation Phys. Rev. B 73, 235411 (2006)
Фуллерены / Борщевский А. Я., Иоффе И. Н., Сидоров Л. Н., Троянов С. И., Юровская М. А. — Нанометр, июнь 2007. – с.87-92.
Harmonie Sahalov; Hui Liu; Petra Reinke. Metal and Semiconductor Contacts (Si, V, Au) to Organic Molecules: The Fullerene Model System / Electronic Materials Conference, University of California- Santa Barbara June 24, 2011
Osinsky V.I., Masol I.V., Lyahova N.N, Deminskyi P.V., Carbides A3B5 compounds — new class materials for opto- and nanoelectronics, Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, Vol. 15, N1, 2012, p. 55-60
Hitoshi Sasaki _, Haruo Sunakawa, Norihiko Sumi, Kazutomi Yamamoto, Akira Usui / Fabri cation of free standing m-plane GaN wafer by using the HVPE technique on analuminum carbide buffer layer on an m-plane sapphire substrate. H. Sasaki et al./Journal of Crystal Growth 311(2009) 2910–2913
Ляхова Н.О моделювання впливу темплетних розмірів на дислокаційність наноструктур при селективній епітаксії ІІІ-нітридів Электроника и связь №3, 2011 г., с. 14-18.
Rjabkov J.I., Grass V.E., Sitnikov P.A. The aluminum single oxicarbide synthesis // Solid state chemistry and functional materials: All Russian scientific conference abstract. – Yekaterinburg, 2000. – p. 111
Андриевский Р.А., Хачаян А.В. Влияние размерных эффектов и поверхностей раздела на физико-химические свойства консолидированных наноматериалов / [под. ред. Э. Родунера], Размерные эффекты в наноматериалах. – Техносфера, М.: 2010. – с. 332-350.
И.В. Масол, В.И. Осинский, О.Т. Сергеев. Информационные нанотехнологии: К. – Макрос. – 2011. – 560 стр.
C.N. He, N.Q. Zhao , C.S. Shi, S.Z. Song Fabrication of aluminum carbide nanowires by a nano- template reaction Journal of Molecular Structure: THEOCHEM Volumes 720–721, 28 April 2005, Pages 15–516.
Hai-Feng Zhang,†,‡ Alice C. Dohnalkova,‡ Chong-Min Wang,‡ James S. Young,‡ Lithium-Assisted Self-Assembly of NANO LETTERS 2002 Lithium-Assisted Self-Assembly of Vol. 2, No. 2 105-108
Yuanbo zhang, Tsung-Ta Tang “Direct observation of a widely tunable bandgap in bilayer graphene” Nature 459, 820-823 (11 June 2009)
Morley G.W., Tol J., Ardavan A., Porfyrakis K., Zhang J., Briggs G.A.D. Efficient dynamic nuclear polarization at high magnetic fields // Phys. Rev. Lett. –2007. –Vol.98. –№220501.
Osinsky V.I., Dyachenko O. Crystall lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, Vol. 13, N2, 2010, p. 142
Brey L. and Fertig H. A. Electronic states of graphene nanoribbons studied with the Dirac equation Phys. Rev. B 73, 235411 (2006)
Фуллерены / Борщевский А. Я., Иоффе И. Н., Сидоров Л. Н., Троянов С. И., Юровская М. А. — Нанометр, июнь 2007. – с.87-92.
Harmonie Sahalov; Hui Liu; Petra Reinke. Metal and Semiconductor Contacts (Si, V, Au) to Organic Molecules: The Fullerene Model System / Electronic Materials Conference, University of California- Santa Barbara June 24, 2011
Osinsky V.I., Masol I.V., Lyahova N.N, Deminskyi P.V., Carbides A3B5 compounds — new class materials for opto- and nanoelectronics, Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, Vol. 15, N1, 2012, p. 55-60
Hitoshi Sasaki _, Haruo Sunakawa, Norihiko Sumi, Kazutomi Yamamoto, Akira Usui / Fabri cation of free standing m-plane GaN wafer by using the HVPE technique on analuminum carbide buffer layer on an m-plane sapphire substrate. H. Sasaki et al./Journal of Crystal Growth 311(2009) 2910–2913
Ляхова Н.О моделювання впливу темплетних розмірів на дислокаційність наноструктур при селективній епітаксії ІІІ-нітридів Электроника и связь №3, 2011 г., с. 14-18.
Rjabkov J.I., Grass V.E., Sitnikov P.A. The aluminum single oxicarbide synthesis // Solid state chemistry and functional materials: All Russian scientific conference abstract. – Yekaterinburg, 2000. – p. 111
Андриевский Р.А., Хачаян А.В. Влияние размерных эффектов и поверхностей раздела на физико-химические свойства консолидированных наноматериалов / [под. ред. Э. Родунера], Размерные эффекты в наноматериалах. – Техносфера, М.: 2010. – с. 332-350.
##submission.downloads##
-
PDF (Русский)
Завантажень: 171
Переглядів анотації: 226
Опубліковано
2021-01-12
Як цитувати
[1]
В. І. Осинський, «НАНОКАРБІДНІ ПРОЦЕСИ ПРИ МОС-ЕПІТАКСІЇ ІІІ-НІТРИДНИХ СТРУКТУР», Опт-ел. інф-енерг. техн., вип. 23, вип. 1, с. 62–72, Січ 2021.
Номер
Розділ
Оптична і квантова електроніка в комп'ютерних та інтелектуальних технологіях
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
