ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
Ключові слова:
RGB, джерело білого світла, InxGa1-xN, індекс передачі кольору, Si, AIIIBVАнотація
На основании исследований среднеквадратических динамических смещений атомов кристаллической решетки твердых растворов InxGa1-xN, обоснована необходимость использования последних для реализации монолитных Si/AIIIBV RGB источников света в одном технологическом процессе. На базе разработанных гибридно-интегральных RGB, RGBW, RGBO источников света, экспериментально подтверждена целесообразность использования каналов излучения в диапазонах 450-455, 525-535, 600-615 нм для повышения индекса цветопередачи. Предложена методика и разработано программное обеспечение, позволяющее задавать процентное соотношение распределения активных слоев для R, G, B-каналов излучения по поверхности чипа.Посилання
1. Осинский В.И., Масол И.В., Ляхова Н.Н., Деминский П.В. На пути создания умного освещения интеграцией Si/III-N светодиодных структур // Материалы 8-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия, алюминия - структуры и приборы", С.-Петербург, 2011, с. 190-191.
2. И.В. Масол, В.И. Осинский, О.Т. Сергеев. Информационные нанотехнологии: К. – Макрос. – 2011. – 560 стр.
3. Осинский В.И., Деминский П.В. Si/A3B5 интегральные источники света: третий этап информатизации / В.И. Осинский, П.В. Деминский // Материалы VI Международной конференции оптоэлектронных информационных технологий «Фотоника – ODS 2012», Винница, 2012, с. 45
4. Moses P. G., Van de Walle Chris G. Band bowing and band alignment in InGaN alloys / P. G. Moses, Chris G. Van de Walle // Appl. Phys. 96. - 2010. – P. 21908
5. S. Nakamura, S. Pearton, and G. Fasol, The Blue Laser Diode: The Complete Story Springer-Verlag, Heidelberg, 2000.
6. T. Kuykendall, P. Ulrich, S. Aloni, and P. Yang, Nature Mater. 6, 951 2007.
7. Шуберт Ф. Светодиоды / Ф. Шуберт; [пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича]. – 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.
8. O Ambacher "Growth and applications of Group III-nitrides" J. Phys. D: Appl. Phys. 31 (1998) 2653– 2710.
9. Ляхова Н.О. Моделирование влияния темплетных размеров на дислокационность наноструктур
при селективной эпитаксии III-нитридов №3, 2011 г., с. 205.
10. McCamy C. S. Correlated color temperature as an explicit function of chromaticity coordinates / C. S. McCamy // Color Research & Application. – 1992. – Vol. 17(2). – Pp. 142–144.
11. Cangeloso S. LED Lighting / S. Cangeloso // O’Reilly Media, Inc. S.: Gravenstein Highway North. – 2001. – P.
1005. ISBN: 978-1-449-33476-5.
2. И.В. Масол, В.И. Осинский, О.Т. Сергеев. Информационные нанотехнологии: К. – Макрос. – 2011. – 560 стр.
3. Осинский В.И., Деминский П.В. Si/A3B5 интегральные источники света: третий этап информатизации / В.И. Осинский, П.В. Деминский // Материалы VI Международной конференции оптоэлектронных информационных технологий «Фотоника – ODS 2012», Винница, 2012, с. 45
4. Moses P. G., Van de Walle Chris G. Band bowing and band alignment in InGaN alloys / P. G. Moses, Chris G. Van de Walle // Appl. Phys. 96. - 2010. – P. 21908
5. S. Nakamura, S. Pearton, and G. Fasol, The Blue Laser Diode: The Complete Story Springer-Verlag, Heidelberg, 2000.
6. T. Kuykendall, P. Ulrich, S. Aloni, and P. Yang, Nature Mater. 6, 951 2007.
7. Шуберт Ф. Светодиоды / Ф. Шуберт; [пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича]. – 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. – 496 с. – ISBN 978-5-9221-0851-5.
8. O Ambacher "Growth and applications of Group III-nitrides" J. Phys. D: Appl. Phys. 31 (1998) 2653– 2710.
9. Ляхова Н.О. Моделирование влияния темплетных размеров на дислокационность наноструктур
при селективной эпитаксии III-нитридов №3, 2011 г., с. 205.
10. McCamy C. S. Correlated color temperature as an explicit function of chromaticity coordinates / C. S. McCamy // Color Research & Application. – 1992. – Vol. 17(2). – Pp. 142–144.
11. Cangeloso S. LED Lighting / S. Cangeloso // O’Reilly Media, Inc. S.: Gravenstein Highway North. – 2001. – P.
1005. ISBN: 978-1-449-33476-5.
##submission.downloads##
-
PDF (Русский)
Завантажень: 157
Переглядів анотації: 219
Як цитувати
[1]
В. І. Осинський, П. В. Демінський, Н. М. Ляхова, А. П. Моторний, І. В. Масол, і Н. О. Суховий, «ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА», Опт-ел. інф-енерг. техн., вип. 24, вип. 2, с. 50–57, Жов 2013.
Номер
Розділ
Оптична і квантова електроніка в комп'ютерних та інтелектуальних технологіях
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
