Моделювання глибини розплавленого шару на поверхні напівпровідника за допомогою крос-платформного додатку JAVA

Автор(и)

  • О.В. Галочкін Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • Д.І. Угрин Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • Е.В. Ватаманіца Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • І.В. Солтис Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

DOI:

https://doi.org/10.31649/1681-7893-2022-43-1-76-81

Ключові слова:

p-n-перехід, лазерний промінь, товщина розплавленого шару, програма Java, лазерне випромінювання

Анотація

В роботі описано метод одержання p-n переходів за рахунок лазерної перекристалізації поверхні напівпровідникових зразків CdTe, а також розроблений на мові Java програмний додаток, який дозволяє моделювати теплові процеси на межі розділу епітаксийний шарпідкладка при лазерному опроміненні поверхні напівпровідника. Він дозволяє робити прогнози стосовно товщини проплавленого шару, що буде впливати на параметри приладів, виготовлених на базі одержаних бар’єрних шарів. Проведено теоретичне моделювання процесів, які відбуваються при поглинанні лазерного випромінювання приповерхневим шаром напівпровідника

Біографії авторів

О.В. Галочкін, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Ph.D, Assistant Professor of Computer Science Department

Д.І. Угрин, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

D.Sc. (Tech), Assistant Professor of Computer Science Department

Е.В. Ватаманіца, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

assistant professor of Computer Science Department

І.В. Солтис, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Ph.D., Assistant Professor of Optics and Publishing Department

Посилання

O. V. Galochkin, S. G. Dremlyuzhenko, Y. D. Zakharuk, A. I. Rarenko, E. V. Rybak, V. M. Strebezhev Investigation of the surface and interface of structures formed on Cd1-xZnxTe and Cd1-xMnxTe by laser welding // Physics and chemistry of the solid state. - 2003. - Vol. 4, No. 4. - pp. 669-672.

I. L. Shulpina, N. K. Zelenina, O. A. Matveev Effect of pulsed laser radiation on the real structure of CdTe single crystals // FTT. - 1998. - Vol. 40, No. 1. - P. 68-72.

A.V. Galochkin, A.A. Ashcheulov, Z.I. Zakharuk, S.G. Dremlyuzhenko, I. S. Romanyuk Photodiode structures based on CdTe and CdMnTe // Applied physics. – 2017. – No. 3. – P. 65-71.

F.F. Vodovatov, A.A. Chelny, V.P. Veyko, M.N. Libenson Lasers in technology /. - M.: Energy, 1975. - 215 p.

O. V. Galochkin, V. M. Zhikharevych, et al. Effect of powerful millisecond laser radiation on the depth of the melted layer in CdTe and Cd0.8Mn0.2Te crystals // Solid state physics and chemistry. – 2012. – Vol. 13, No. 1. - P. 224-229.

Highly linear Microelectronic Sensors Signal Converters Based on Push-Pull Amplifier Circuits / edited by Waldemar Wojcik and Sergii Pavlov, Monograph, (2022) NR 181, Lublin, Comitet Inzynierii Srodowiska PAN, 283 Pages. ISBN 978-83-63714-80-2.

Submicron and Nanoscale Structures of Electronics / [Z. Gotra, I. Grigorchak, S. Pavlov, etc.]. - Chernivtsi: Technological Center, 2014. – 839 p.

Physical foundations of biomedical optics (Monograph) / [Pavlov S.V., Kozhemyako V.P., Kolisnyk P.F. KozlovskaT. I., Dumenko V. P.] – Vinnytsia: VNTU, 2010. – 155 p.

V.V. Kukharchuk, W. Wójcik, S.V. Pavlov, etc. “Features of the angular speed dynamic measurements with the use of an encoder”, Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Srodowiska, 2022, 12(3), pp. 20–26.

Oleksandr I. Nikolskyy, Vladimir G. Krasilenko, Yosyp Y. Bilynsky, Anzhelika Starovier, "Using LabView for real-time monitoring and tracking of multiple biological objects", Proc. SPIE 10170, Health Monitoring of Structural and Biological Systems 2017, 101703H (5 April 2017).

O. D. Azarov, O. D. Dudnyk, M. Duk, D. Porubov, "Static and dynamic characteristics of the self-calibrating multibit ADC analog components", Proc. SPIE 8698, Optical Fibers and Their Applications 2012, 86980N (11 January 2013).

A. D. Azarov, A. I. Chernyak, P. A. Chernyak, "Class of numerical systems for pipeline bit sequential development of multiple optoelectronic data streams", Proc. SPIE 4425, Selected Papers from the International Conference on Optoelectronic Information Technologies, (12 June 2001).

##submission.downloads##

Переглядів анотації: 85

Опубліковано

2022-12-28

Як цитувати

[1]
О. Галочкін, Д. Угрин, Е. Ватаманіца, і І. Солтис, «Моделювання глибини розплавленого шару на поверхні напівпровідника за допомогою крос-платформного додатку JAVA», Опт-ел. інф-енерг. техн., вип. 43, вип. 1, с. 76–81, Груд 2022.

Номер

Розділ

Оптико-електронні пристрої та компоненти в лазерних і енергетичних технологіях

Метрики

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають