Simulation of the depth of the melted layer on the surface of a semiconductor using JAVA cross-platform application

Authors

  • O.V. Galochkin Yuriy Fedkovich Chernivtsi National University
  • D.I. Uhryn Yuriy Fedkovich Chernivtsi National University
  • E.V. Vatamanitsa Yuriy Fedkovich Chernivtsi National University
  • I.V. Soltys Yuriy Fedkovich Chernivtsi National University

DOI:

https://doi.org/10.31649/1681-7893-2022-43-1-76-81

Keywords:

p-n junction, laser beam, the thickness of a melted layer, Java application, laser radiation

Abstract

The paper describes a method for obtaining p-n transitions due to the laser recrystallization of the surface of CdTe semiconductor samples, as well as a software application developed in Java that allows the simulation of thermal processes at the boundary of the epitaxial layer-substrate with laser irradiation of the semiconductor surface. It allows to make predictions regarding the thickness of the melted layer, which will affect the parameters of the devices made on the basis of the obtained barrier layers. The theoretical modeling of the processes taking place at absorption of laser radiation by the surface layer of a semiconductor is carried out.

Author Biographies

O.V. Galochkin, Yuriy Fedkovich Chernivtsi National University

Ph.D, Assistant Professor of Computer Science Department

D.I. Uhryn, Yuriy Fedkovich Chernivtsi National University

D.Sc. (Tech), Assistant Professor of Computer Science Department

E.V. Vatamanitsa, Yuriy Fedkovich Chernivtsi National University

assistant professor of Computer Science Department

I.V. Soltys, Yuriy Fedkovich Chernivtsi National University

Ph.D., Assistant Professor of Optics and Publishing Department

References

O. V. Galochkin, S. G. Dremlyuzhenko, Y. D. Zakharuk, A. I. Rarenko, E. V. Rybak, V. M. Strebezhev Investigation of the surface and interface of structures formed on Cd1-xZnxTe and Cd1-xMnxTe by laser welding // Physics and chemistry of the solid state. - 2003. - Vol. 4, No. 4. - pp. 669-672.

I. L. Shulpina, N. K. Zelenina, O. A. Matveev Effect of pulsed laser radiation on the real structure of CdTe single crystals // FTT. - 1998. - Vol. 40, No. 1. - P. 68-72.

A.V. Galochkin, A.A. Ashcheulov, Z.I. Zakharuk, S.G. Dremlyuzhenko, I. S. Romanyuk Photodiode structures based on CdTe and CdMnTe // Applied physics. – 2017. – No. 3. – P. 65-71.

F.F. Vodovatov, A.A. Chelny, V.P. Veyko, M.N. Libenson Lasers in technology /. - M.: Energy, 1975. - 215 p.

O. V. Galochkin, V. M. Zhikharevych, et al. Effect of powerful millisecond laser radiation on the depth of the melted layer in CdTe and Cd0.8Mn0.2Te crystals // Solid state physics and chemistry. – 2012. – Vol. 13, No. 1. - P. 224-229.

Highly linear Microelectronic Sensors Signal Converters Based on Push-Pull Amplifier Circuits / edited by Waldemar Wojcik and Sergii Pavlov, Monograph, (2022) NR 181, Lublin, Comitet Inzynierii Srodowiska PAN, 283 Pages. ISBN 978-83-63714-80-2.

Submicron and Nanoscale Structures of Electronics / [Z. Gotra, I. Grigorchak, S. Pavlov, etc.]. - Chernivtsi: Technological Center, 2014. – 839 p.

Physical foundations of biomedical optics (Monograph) / [Pavlov S.V., Kozhemyako V.P., Kolisnyk P.F. KozlovskaT. I., Dumenko V. P.] – Vinnytsia: VNTU, 2010. – 155 p.

V.V. Kukharchuk, W. Wójcik, S.V. Pavlov, etc. “Features of the angular speed dynamic measurements with the use of an encoder”, Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Srodowiska, 2022, 12(3), pp. 20–26.

Oleksandr I. Nikolskyy, Vladimir G. Krasilenko, Yosyp Y. Bilynsky, Anzhelika Starovier, "Using LabView for real-time monitoring and tracking of multiple biological objects", Proc. SPIE 10170, Health Monitoring of Structural and Biological Systems 2017, 101703H (5 April 2017).

O. D. Azarov, O. D. Dudnyk, M. Duk, D. Porubov, "Static and dynamic characteristics of the self-calibrating multibit ADC analog components", Proc. SPIE 8698, Optical Fibers and Their Applications 2012, 86980N (11 January 2013).

A. D. Azarov, A. I. Chernyak, P. A. Chernyak, "Class of numerical systems for pipeline bit sequential development of multiple optoelectronic data streams", Proc. SPIE 4425, Selected Papers from the International Conference on Optoelectronic Information Technologies, (12 June 2001).

Downloads

Abstract views: 94

Published

2022-12-28

How to Cite

[1]
O. Galochkin, D. Uhryn, E. Vatamanitsa, and I. Soltys, “Simulation of the depth of the melted layer on the surface of a semiconductor using JAVA cross-platform application”, Опт-ел. інф-енерг. техн., vol. 43, no. 1, pp. 76–81, Dec. 2022.

Issue

Vol. 43 No. 1 (2022)

Section

Optical-Electronic Devices and Components in Laser and Energy Technologies

Metrics

Downloads

Download data is not yet available.

License

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).