ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ, ВИГОТОВЛЕНИХ НА ІОННО ТРАВЛЕНИХ ПОВЕРХНЯХ КРЕМНІЮ

  • В. Г. Житарюк Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича
  • В. М. Годованюк Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича
  • І. В. Докторович ВАТ «ЦКБ Ритм»

Анотація

В роботі досліджується вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях.

Біографії авторів

В. Г. Житарюк, Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича
кандидат фізико-математичних наук, доцент кафедри оптики і спектроскопії інженерно-технічного факультету
В. М. Годованюк, Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича
доктор технічних наук, професор, директор ВАТ „Центральне конструкторське бюро Ритм”
І. В. Докторович, ВАТ «ЦКБ Ритм»
інженер-дослідник
Як цитувати
Розділ
Оптична і квантова електроніка в комп'ютерних та інтелектуальних технологіях