ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ, ВИГОТОВЛЕНИХ НА ІОННО ТРАВЛЕНИХ ПОВЕРХНЯХ КРЕМНІЮ

Автор(и)

  • В. Г. Житарюк Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича
  • В. М. Годованюк Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича
  • І. В. Докторович ВАТ «ЦКБ Ритм»

Анотація

В роботі досліджується вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях.

Біографії авторів

В. Г. Житарюк, Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича

кандидат фізико-математичних наук, доцент кафедри оптики і спектроскопії інженерно-технічного факультету

В. М. Годованюк, Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича

доктор технічних наук, професор, директор ВАТ „Центральне конструкторське бюро Ритм”

І. В. Докторович, ВАТ «ЦКБ Ритм»

інженер-дослідник

##submission.downloads##

  • PDF
    Завантажень: 180
Переглядів анотації: 205

Як цитувати

[1]
В. Г. Житарюк, В. М. Годованюк, і І. В. Докторович, «ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ, ВИГОТОВЛЕНИХ НА ІОННО ТРАВЛЕНИХ ПОВЕРХНЯХ КРЕМНІЮ», Опт-ел. інф-енерг. техн., вип. 17, вип. 1, с. 137–140, Лис 2013.

Номер

Том 17 № 1 (2009)

Розділ

Оптична і квантова електроніка в комп'ютерних та інтелектуальних технологіях

Метрики

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Ліцензія

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).