ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ, ВИГОТОВЛЕНИХ НА ІОННО ТРАВЛЕНИХ ПОВЕРХНЯХ КРЕМНІЮ

Authors

  • V. H. Zhytariuk Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича
  • V. M. Hodovaniuk Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича
  • I. V. Doktorovych ВАТ «ЦКБ Ритм»

Abstract

В роботі досліджується вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях.

Author Biographies

V. H. Zhytariuk, Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича

кандидат фізико-математичних наук, доцент кафедри оптики і спектроскопії інженерно-технічного факультету

V. M. Hodovaniuk, Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича

доктор технічних наук, професор, директор ВАТ „Центральне конструкторське бюро Ритм”

I. V. Doktorovych, ВАТ «ЦКБ Ритм»

інженер-дослідник

Downloads

Abstract views: 205

How to Cite

[1]
V. H. Zhytariuk, V. M. Hodovaniuk, and I. V. Doktorovych, “ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ, ВИГОТОВЛЕНИХ НА ІОННО ТРАВЛЕНИХ ПОВЕРХНЯХ КРЕМНІЮ”, Опт-ел. інф-енерг. техн., vol. 17, no. 1, pp. 137–140, Nov. 2013.

Issue

Vol. 17 No. 1 (2009)

Section

Optical and Quantum Electronics in Computer and Intellectual Technologies

Metrics

Downloads

Download data is not yet available.

License

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).