ПОБУДОВА ЕЛЕМЕНТІВ ОПТОЕЛЕКТРОННОЇ ПАМ’ЯТІ З ВИКОРИСТАННЯМ ЕЛЕКТРОАБСОРБЦІЙНИХ МОДУЛЯТОРІВ СВІТЛА

Автор(и)

  • Г. Л. Лисенко Вінницький державний технічний університет
  • Д. С. Костюченко Вінницький державний технічний університет

Ключові слова:

оптоелектронний асинхронний RS-тригер, VCSEL, електроабсорбційні модулятори світла, квантово-розмірні структури

Анотація

Розглянуто побудову елементів оптоелектронної пам’яті на прикладі оптоелектронного асинхронного RS-тригера та його функціонування. Описано використання електроабсорбційних модуляторів світла та вертикально випромінюючих лазерів з об’ємним резонатором (VCSEL) в якості структурних елементів.

Біографії авторів

Г. Л. Лисенко, Вінницький державний технічний університет

к.т.н., доцент кафедри лазерної та оптоелектронної техніки

Д. С. Костюченко, Вінницький державний технічний університет

магістрант кафедри лазерної та оптоелектронної техніки

Посилання

Лисенко Г.Л., Костюченко Д.С.,Бурмакіна О.В. Патент на корисну модель «Оптоелектронний асинхронний RS триггер» №62527 Зареєстровано в державному реєстрі патентів на корисні моделі 25.08.2011
С.М. Цирульник Архітектура динамічних оптичних оперативних запам’ятовувальних пристроїв на волоконно-оптичних лініях. Монографія / Цирульник С.М., Кожем’яко В.П., Лисенко Г.Л. -
Вінниця: ВНТУ, 2009. – С. 51–52
Соколов С.В. Пат. Российской Федерации, G02F3/00, H03K23/78. Оптический триггер/ Соколов С.В. - № 2040028; заявл. 10.02.1992.
Vijit Sabnis. Optically-controlled electroabsorption modulators for future generation optical networks// A dissertation submitted to the department of applied physics and the committee on graduate studies of Stratford University in partial fulfillment of the requirements for the degree of Doctor of Philosophy, 2003. P. 166–170.
Noah Charles Helman. Optoelectronic modulators for optical interconnects// A dissertation submitted to the department of applied physics and the committee on graduate studies of Stratford University in partial fulfillment of the requirements for the degree of Doctor of Philosophy, 2005. – P. 29–33.
Исследование эффекта Штарка вертикально сопряженных квантових точек в гетероструктурах
InAs/GaAs // Физика и техника полупроводников, т.36, вып.9, 2002. - С. 1089 - 1096.
L. Lever, Z. Ikonic, A. Valavanis, R. W. Kelsall, "Design of Ge/SiGe quantum-confined Stark effect modulators for CMOS compatible photonics", SPIE Photonics West 2010, San Francisco, USA, 23-28 Jan 2010, Proc. SPIE, Vol. 7606, Art. No. 76060Q (1-9).
Seurin, J.-F., Xu, G., Khalfin, V., Miglo, A., Wynn, J. D., Pradhan, P., Ghosh, C. L., and D’Asaro, L. A., “Progress in high-power high-efficiency VCSEL arrays,” Proc. SPIE 7229, 722903 (2009).
Micah Yairi, H.V. Demir, C.W. Coldren, J.S. Harris, and D.A.B. Miller “Demonstration of an optoelectronic dual-diode optically controlled optical gate with a 20 picosecond repetition period” Nonlinear Optics: Materials, Fundamentals and Applications (NLO) KL, Hawaii August 6, 2000.

##submission.downloads##

Переглядів анотації: 170

Як цитувати

[1]
Г. Л. Лисенко і Д. С. Костюченко, «ПОБУДОВА ЕЛЕМЕНТІВ ОПТОЕЛЕКТРОННОЇ ПАМ’ЯТІ З ВИКОРИСТАННЯМ ЕЛЕКТРОАБСОРБЦІЙНИХ МОДУЛЯТОРІВ СВІТЛА», Опт-ел. інф-енерг. техн., вип. 23, вип. 1, с. 88–92, Жов 2013.

Номер

Розділ

Оптична і квантова електроніка в комп'ютерних та інтелектуальних технологіях

Метрики

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають